隨著科技的發展，現有半導體材料已經經過了三個發展階段，第三代半導體展現出了高壓、高頻、高速、低阻的優點，其擊穿電壓，在在某些應用中可高到1200-1700V。這些特點帶來如下新特性：

　　極低的內部電阻，與同類硅器件相比，效率可提高70%

　　低電阻可改善熱性能(最高工作溫度增加了)和散熱，并可獲得更高的功率密度

　　散熱得到優化，與硅器件相比，就可采用更簡單的封裝、尺寸和重量也大大減少

　　極短的關斷時間(GaN器件接近于零)，能工作于很高的開關頻率，工作溫度也更低

　　這些特性，在功率器件尤其是MOSFET以及IGBT上面的應用最為廣泛。

　　因此，在第三代半導體高速發展的同時，測量技術也面臨全面升級，特別是高電壓、大電流、高頻率測試，以及電容特性（CV）特性。

　　現今，市場上功率器件CV特性測試儀器，普遍存在下列痛點：

　　1.進口設備

　　進口設備功能全、一體化集成度高、測試準確，但是有如下缺點：

　　a)價格昂貴，動則幾十萬甚至上百萬的價格，一般企業很難承受。

　　b)操作繁瑣，集成了太多功能加上大多英文化的操作界面，對于用戶操作并不友好。

　　c)測試效率低，一臺設備可能完成動態特性、靜態特性的全部測試，但是接線負責、操作難度大，測試結果用時較長，測試效率無法保障。

　　2.國產設備

　　在進口設備無法滿足用戶測試需求的情況下，國產設備應運而生，以相對功能單一、操作方便、價格低廉快速占領了一部分市場，但是，這些設備同樣也有如下缺點：

　　a）體積龐大，大多數國產設備，由于沒有專業的電容測試經驗，通常是用幾臺電源、一臺LCR、工控機或者PLC、機箱、測試工裝等組合而成，因此體積過大，無法適用于自動化產線快速生產。

　　b）漏源電壓VDS過低，大多最高只能達到1200V左右，已無法滿足第三代半導體功率器件測試需求。

　　c）測量精度低，由于缺乏專業電容測量經驗，加上過多的轉接，導致電容特別是pF級別的小電容無法達到合適的測量精度。

　　d）測試效率低，同樣由于組合儀器過多，加上需用工控機或PLC控制過多儀器，導致測試單個器件時間過長。

　　e）擴展性差，由于設備過多，各種儀器不同的編程協議，很難開放第三方接入以集成至客戶產線自動化測試整體方案中。

　　針對這些痛點同惠推出了針對半導體功率器件CV特性的解決方案。

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